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Dispositivos Electrónicos en Estado Sólido | 6ta Edicion | Ben G. Streetman, Sanjay Banerjee

Dispositivos Electrónicos en Estado Sólido | 6ta Edicion | Ben G. Streetman, Sanjay Banerjee Gratis en PDF

Dispositivos Electrónicos en Estado Sólido  6ta Edicion  Ben G. Streetman, Sanjay Banerjee

Dispositivos Electrónicos en Estado Sólido 6ta Edicion Ben G. Streetman, Sanjay Banerjee

Dispositivos Electrónicos en Estado Sólido | 6ta Edicion | Ben G. Streetman, Sanjay Banerjee / Solid State Electronic Devices | the 6th Edition | Ben G. Streetman, Sanjay Banerjee uno de los libros de introducción más utilizados sobre material semiconductor, la física, dispositivos y tecnología, este texto tiene por objeto: 1) desarrollar conceptos básicos de la física de los semiconductores, que los estudiantes puedan comprender mejor los dispositivos actuales y futuras; y 2) proporcionar una sólida comprensión de dispositivos semiconductores actuales y la tecnología, por lo que sus aplicaciones a circuitos y sistemas electrónicos y optoelectrónicos se pueden apreciar. Los estudiantes son llevados a un nivel de entendimiento que les permita leer gran parte de la literatura actual sobre nuevos dispositivos y aplicaciones.

Características

      • Los fundamentos de materiales semiconductores y procesos de conducción en sólidos – incorporadas para ayudar a los estudiantes a comprender uniones pn, transistores semiconductores bipolares y de óxidos metálicos, optoelectrónicos y otros dispositivos.
      • Amplia discusión de circuito y otros ejemplos de aplicación para proporcionar a los estudiantes con comentarios acerca de la relevancia práctica de la teoría.
      • Ecuaciones clave para dispositivos semiconductores – Cotizadas en las portadas interiores del libro, ordenadas por temas para ayudar a los estudiantes a digerir conceptos.
      • Proporciona un resumen de los conceptos clave en el final de cada capítulo, y los objetivos de capítulo al comienzo
      • Aproximadamente 200 problemas junto con referencias actuales que se extienden conceptos en el texto.

Nuevo de la Edición

      • 50% nuevas o revisadas problemas con la tarea.
      • Resumen de los conceptos clave al final de cada capítulo.
      • Respuestas a problemas seleccionados en la parte posterior del libro.
      • Actualizado discusión de procesos y fabricación de los dispositivos CMOS tecnología de circuitos integrados proporciona una comprensión útil de cómo se hacen los dispositivos semiconductores.
      • La discusión de MOS avanzadas y procesos bipolares y estructuras como dieléctricos de compuerta high-k, BJT polyemitter y graduadas HBTs bases de SiGe.
      • Tratamiento consolidado de dispositivos optoelectrónicos – discute fuentes tales como los LEDs blancos para la iluminación, detectores como SACM y de guía de ondas fotodiodos, y los avances en células solares.

Autor (s)

Ben G. Streetman

Decano de la Facultad de Ingeniería de la Universidad de Texas en Austin y titular de la Cátedra Dula D. Cockrell Centennial en Ingeniería. Es profesor de Ingeniería Eléctrica e Informática y fue el director fundador del Centro de Investigación Microelectrónica. Ha sido profesor en la Universidad de Illinois en Urbana-Champaign, así como la Universidad de Texas en Austin. Ha recibido numerosos premios, incluyendo la Medalla de la Educación de la IEEE, El Frederick Terman Emmons Medalla de la ASEE, y miembro de la Academia Nacional de Ingeniería. Ha publicado más de 270 artículos en la literatura técnica. Treinta y tres estudiantes de Ingeniería Eléctrica, Ciencias de los Materiales y Física han recibido su doctorado bajo su dirección.

Sanjay Banerjee

Se graduó con un grado B.Tech del Instituto Indio de Tecnología, Kharagpur, India. Luego obtuvo una maestría y un doctorado, ambos en Ingeniería Eléctrica de la Universidad de Illinois en Urbana-Champaign. Sus intereses de investigación se centran en áreas de modelado nanoestructura dispositivo, modelado de procesos, y tecnología de conexiones ultra-superficial. El trabajo de Banerjee le ha ganado varios premios, incluyendo el Premio SRC Inventor Reconocimiento (2000), la Medalla del Milenio IEEE (2000), y el Asesor Engineering Award Fundación Consejo Halliburton (1991). Él es ahora con la Universidad de Texas en Austin, sirviendo como Director del Centro de Investigación Microelectrónica. Él es también el Cockrell Familia Regents Cátedra Profesor de Ingeniería Eléctrica e Informática en la Universidad.

Tabla de Contenido

1. Crystal Properties and Growth of Semiconductors.
2. Atoms and Electrons.
3. Energy Bands and Charge Carriers in Semiconductors.
4. Excess Carriers in Semiconductors.
5. Junctions.
6. Field-Effect Transistors.
7. Bipolar Junction Transistors.
8. Optoelectronic Devices.
9. Integrated Circuits.
10. High-Frequency and High-Power Devices.

Appendices
I. Definitions of Commonly Used Symbols.
II. Physical Constants and Conversion Factors.
III. Properties of Semiconductor Materials.
IV. Derivation of the Density of States in the Conduction Band.
V. Derivation of Fermi–Dirac Statistics.
VI. Dry and Wet Thermal Oxide Thickness Grown on Si (100) as a Function of Time and Temperature.
VII. Solid Solubilities of Impurities in Si.
VIII. Diffusivities of Dopants in Si and SiO2.
IX. Projected Range an Straggle as Function of Implant Energy in Si.

Título: Dispositivos Electrónicos en Estado Sólido
Autores: Ben G. Streetman, Sanjay Banerjee
Edición: 6ta Edición
Tipo: Solucionario
Idioma: Ingles

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